RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston KYXC0V-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MID 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
15.2
写入速度,GB/s
7.8
11.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2903
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link