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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston XWM8G1-MIE 32GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB 考慮すべき理由
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 47
    周辺 -57% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 3704

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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