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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
47
周辺 -114% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
22
読み出し速度、GB/s
10.4
16.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
8.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
2633
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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