RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2633
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link