RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
バグを報告する
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 55
    周辺 -77% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    55 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2424 left arrow 2897

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB RAMの比較

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
メモリRAM