RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
55
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
55
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2424
2897
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link