RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 33
    周辺 -83% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.9 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 20.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 3601

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
メモリRAM