RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
33
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
18
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3601
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link