RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
74
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2685
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link