RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
33
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.1
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.4
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
22
読み出し速度、GB/s
8.0
21.1
書き込み速度、GB/秒
7.3
17.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1911
4142
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAMの比較
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link