RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
4142
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link