Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905624-008.A00G 8GB

総合得点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

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Kingston 9905624-008.A00G 8GB

考慮すべき理由
Kingston 9905624-008.A00G 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 33

周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.2 8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.1 7.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

33 27
読み出し速度、GB/s

8.0 14.2
書き込み速度、GB/秒

7.3 10.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1911 2416

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

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