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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
総合得点
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
33
周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.8
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
21
読み出し速度、GB/s
8.0
18.8
書き込み速度、GB/秒
7.3
13.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3168
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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