RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 54
    周辺 -86% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3111

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
メモリRAM