RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3111
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link