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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB 考慮すべき理由
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 54
    周辺 -108% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 12800
    周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3377

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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