RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
54
周辺 -74% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.5
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
31
読み出し速度、GB/s
9.2
12.5
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
2361
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link