Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

総合得点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 54

周辺 -135% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.1 9.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.0 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

54 23
読み出し速度、GB/s

9.2 18.1
書き込み速度、GB/秒

8.1 15.0
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2105 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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