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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3317
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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