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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 54
    周辺 -69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2349

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
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