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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
13.2
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2349
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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