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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
54
周辺 -64% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
33
読み出し速度、GB/s
9.2
16.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2665
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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