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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
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Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 63
    周辺 -125% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3377

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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