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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
63
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
28
Velocità di lettura, GB/s
8.1
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3377
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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