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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
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Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 63
    周辺 -152% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3065

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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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