RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3065
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link