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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
63
周辺 -142% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.1
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.1
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
26
読み出し速度、GB/s
8.1
21.1
書き込み速度、GB/秒
7.5
17.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1945
3931
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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