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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
64
周辺 -106% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
31
読み出し速度、GB/s
4,651.3
17.2
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
15.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
3614
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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