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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
64
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
31
读取速度,GB/s
4,651.3
17.2
写入速度,GB/s
2,256.8
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3614
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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