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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
13.9
15.4
写入速度,GB/s
9.5
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2854
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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