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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.8
14.7
写入速度,GB/s
12.5
6.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2231
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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