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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
11.0
9.7
写入速度,GB/s
7.2
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
1767
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
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