RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2231
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link