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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
4,577.1
18.0
写入速度,GB/s
2,066.5
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3373
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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