RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3373
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link