Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 29
    Intorno 10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.7 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.9 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 16.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 12.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2143 left arrow 3273
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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