Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 29
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2143 left arrow 3273
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較