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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
23
读取速度,GB/s
11.7
16.1
写入速度,GB/s
7.2
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2613
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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