RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
64
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3614
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link