RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 63
    周辺 -103% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3217

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB RAMの比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
メモリRAM