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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
3217
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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