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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
63
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
37
読み出し速度、GB/s
8.1
14.4
書き込み速度、GB/秒
7.5
11.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1945
2712
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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