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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
差异
规格
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
8.1
14.4
写入速度,GB/s
7.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2712
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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