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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
75
左右 65% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
75
读取速度,GB/s
13.2
15.6
写入速度,GB/s
7.3
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
1717
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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