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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
16.1
15.8
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2929
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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