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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 18
    测试中的平均数值
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 63
    左右 -103% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    3,231.0 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    1,447.3 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3497

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
内存RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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内存RAM