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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 63
    周辺 -97% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3083

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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