RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Kingston XRGM6C-MIB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3083
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link