RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB 考慮すべき理由
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
バグを報告する
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    57 left arrow 66
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    7.3 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1760 left arrow 2792

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
メモリRAM