RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 67
    周辺 40% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.2
    テスト平均値
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 2042

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM